Приглашенные доклады

C. E. Боровой, АО «НПП «Пульсар», Москва
tba
А. В. Заблоцкий, ФПИ, Москва
tba
М. Л. Занавескин, НИЦ «Курчатовский институт»
Технологический маршрут изготовления СВЧ МИС на основе нитрида галлия на кремнии с топологической нормой 0,25 мкм для малосерийного контрактного производства
Д. Л. Гнатюк, ОСВЧПЭ ЦПМ
Технологии изготовления HEMT-транзисторов миллиметрового диапазона с длиной затвора Lg = 0,25–0,1 мкм с использованием исключительно технологии MOCVD для роста структур и селективного доращивания контактного слоя n+GaN
В. М. Муравьев, ИФТТ им. Ю. А. Осипьяна РАН
Плазмонный кристалл как платформа для терагерцовой электроники: от фундаментальной физики к приложениям
К. И. Зайцев, ИОФ им. А. М. Прохорова РАН
ТГц спектроскопия и микроскопия биотканей
Р. Р. Галиев, ОСВЧПЭ ЦПМ
Электронная литография элементов радиофотоники: опыт ОСВЧПЭ ЦПМ НИЦ «Курчатовский институт»
А. А. Татаринцев, ФТИ ЦПМ
tba